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　　芯片電容器—單層陶瓷電容器具有尺寸小、厚度薄等效串聯(lián)電阻低、損耗低的長(zhǎng)處，應(yīng)用頻率可達(dá)數(shù)GHZ，適用于小型、微波的場(chǎng)合，廣泛應(yīng)用于微波通訊線路，微波功率放大器以及微波集成電路中，起到隔直通交、RF旁路、 濾波、調(diào)諧等作用。

　　目前首要選用流延法、軋膜法制備陶瓷基片。通過磁控濺射、光刻和電鍍辦法制備外電極，經(jīng)過精細(xì)切開技術(shù)制得不同尺寸的芯片電容器。

　　下面簡(jiǎn)要的介紹下芯片電容器的陶瓷基片的幾種制備辦法：

　　流延法，流延技術(shù)生產(chǎn)效率高，自動(dòng)化水平高，膜片平坦易加工，質(zhì)量穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。流延法是將制造好的瓷漿經(jīng)過流延設(shè)備的注漿口，涂布在環(huán)形鋼帶或塑料帶上，然后構(gòu)成一層均勻的漿料層，其厚度可由漿料的黏度、注漿口的寬度及鋼帶的走帶速度調(diào)理。經(jīng)過干燥后構(gòu)成必定厚度和寬度并具有必定強(qiáng)度和彈性的細(xì)密的陶瓷基片，可以很方便地進(jìn)行加工，流延出的瓷膜平坦，光潔度高，常見厚度在1-60um之間。

　　軋膜法：軋膜法通常在軋膜機(jī)進(jìn)步行，軋膜機(jī)由兩個(gè)滾筒組成，滾筒的表面經(jīng)過鍍鉻拋光，以確保軋出的薄膜具有較高的光潔度。滾筒之間的間隔可以調(diào)理，以便操控軋膜的厚度。一般軋膜 進(jìn)程分為配料、粗軋和精軋幾個(gè)工序。配料是瓷料粉末和必定的黏合劑、溶劑等配成漿料，以便粗軋。粗軋的意圖是將粉料和黏合劑混合均勻，并取得必定的厚度的瓷帶以便進(jìn)行精軋。精軋時(shí)逐步縮小軋膜機(jī)兩個(gè)滾筒之間的間隔，經(jīng)過重復(fù)多次軋膜，取得所需厚度的陶瓷膜。采用軋膜法能確保瓷膜細(xì)密、氣孔小，但瓷膜的厚度難以達(dá)到小。

　　兩種辦法比較，在相同燒結(jié)工藝條件下，軋膜工藝得到的陶瓷晶粒較大，導(dǎo)致軋膜式的ε更大。流延工藝制備電容器的ε和tanθ均小些，但其介溫特性差，應(yīng)用時(shí)會(huì)影響電容器的可靠性。

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